作為NAND閃存的發(fā)明人，東芝研發(fā)的3D FLASH使用的是BiCS技術(shù)。BiCS FLASH™是垂直堆棧的三維(3D)閃存，相比其前一代的先進(jìn)技術(shù)，即二維(2D)NAND閃存，BiCS FLASH™中的存儲器單元間隔比2D NAND閃存更大。這就可以通過增加單次編程序列的數(shù)據(jù)量來提高編程速度，同時也降低了每個編程數(shù)據(jù)單元的功耗。另外BiCS FLASH™的寬存儲器單元間隔相比于2D NAND閃存而言，降低了單元的耦合性，提高了可靠性。
同時近日東芝存儲器株式會社宣布，已開發(fā)出全球首款采用堆棧式結(jié)構(gòu)的96層BiCSFLASH™閃存的原型樣品。未來東芝存儲器株式會社將在其512千兆比特(64GB)等大容量產(chǎn)品中應(yīng)用其新的96層工藝技術(shù)和4位元(1個存儲器存儲單元可存放4比特的數(shù)據(jù)，QLC)技術(shù)。
TR200 SSD系列具有高于傳統(tǒng)硬盤(HDD)的系統(tǒng)響應(yīng)能力和數(shù)據(jù)讀寫能力，為改善筆記本電腦和臺式電腦的用戶體驗提供了一種簡單、便捷的方式。TR200系列采用6 Gbit/s SATA標(biāo)準(zhǔn)接口，順序讀寫性能([1])分別達(dá)到550 MB/s和525 MB/s([2])，隨機讀寫性能([3])分別達(dá)到80000 IOPS (每秒平均的隨機讀取次數(shù))和87000IOPS(每秒平均的隨機寫入次數(shù))([4])。并且，在保持高速傳輸?shù)耐瑫r，運行功耗大幅降低，從而可以為長時間使用的用戶或者無法及時充電的用戶延長電池使用時間。
此款SSD提供三種容量：240GB、480GB和960GB([5])，全部采用2.5英寸標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。并將于今年秋季開始零售和在線零售服務(wù)。
TR200系列將在中國上海舉辦的中國國際數(shù)碼互動娛樂展覽會(ChinaJoy)上首次亮相，展出期間為7月27日至30日;并將于8月22日至26日在德國科隆舉辦的GamesCom展會上展出。
TR200系列
注* 連續(xù)讀寫性能是通過Iometer 1.1.0測試軟件測試的。
注** 隨機讀寫性能是通過CrystalDiskMark 5.1.2測試軟件測試的。
本文提及的所有公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱是其各自公司的商標(biāo)。
([1]) 連續(xù)讀寫性能是通過Iometer 1.1.0測試軟件測試的。
([2])該性能是根據(jù)本公司測試標(biāo)準(zhǔn)，基于128KiB單元順序訪問測得的TR200型號產(chǎn)品的順序讀取和順序?qū)懭胄阅堋８鶕?jù)不同的測試環(huán)境，讀寫條件以及負(fù)載，其性能存在差異。東芝定義1兆字節(jié)(MB)為1,000,000字節(jié)，1千位二進(jìn)字節(jié)(KiB)為210字節(jié)或1,024字節(jié)。
([3])隨機讀寫性能是通過CrystalDiskMark 5.1.2測試軟件測試的。
([4]) 該性能是根據(jù)本公司測試標(biāo)準(zhǔn)，基于4KiB單元隨機訪問測得的TR200型號產(chǎn)品的隨機讀取和隨機寫入性能。根據(jù)不同的測試環(huán)境，讀寫條件以及負(fù)載，其性能存在差異。東芝定義1兆字節(jié)(MB)為1,000,000字節(jié)，1千位二進(jìn)字節(jié)(KiB)為210字節(jié)或1,024字節(jié)。
([5])容量定義：本公司定義1千兆字節(jié)(GB)為1,000,000,000字節(jié)。而計算機操作系統(tǒng)使用2的冪數(shù)來標(biāo)示存儲容量，其定義1GB=230字節(jié)=1,073,741,824字節(jié)，因此會顯示較少的存儲容量。根據(jù)不同的文件大小、格式、設(shè)置、軟件和操作系統(tǒng)，可用存儲容量(包括各種媒體文件示例)將存在差異，如微軟操作系統(tǒng)和/或預(yù)裝軟件應(yīng)用程序或媒介內(nèi)容。實際的格式化容量可能存在差異。