BSI其實就是CMOS技術的一種，就是背照式CMOS，拍照的時候在夜拍和高感的時候成像效果更好一些。

在傳統CMOS感光元件中，感光二極管位于電路晶體管后方，進光量會因遮擋受到影響。所謂背照式CMOS就是將它掉轉方向，讓光線首先進入感光二極管，從而增大感光量，顯著提高低光照條件下的拍攝效果。索尼的背照式CMOS傳感器商品名稱為Exmor R，首先在DV攝像機中得到應用。

Exmor R CMOS背面照明技術感光元件，改善了傳統CMOS感光元件的感光度。Exmor R CMOS采用了和普通方法相反、向沒有布線層的一面照射光線的背面照射技術，由于不受金屬線路和晶體管的阻礙，開口率（光電轉換部分在一個像素中所占的面積比例）可提高至近100%。與其以往1.75m間隔的表面照射產品相比，背面照射產品在靈敏度（S/N）上具有很大優勢。

諸如iphone4s、魅族mx都采用了背照式的攝像頭。

堆棧式CMOS首次發布還是在2012年8月下旬，首次應用發布在OPPO Find 5上面。 Exmor RS CMOS的原理是，它使用有信號處理電路的芯片替代了原來背照CMOS圖像傳感器的支持基板，在芯片上重疊形成背照CMOS元件的像素部分，從而實現了在較小的芯片尺寸上形成大量像素點的工藝。由于像素部分和電路部分分別獨立，因此像素部分可針對高畫質優化，電路部分可針對高性能優化。

概念關系不能混：堆棧式CMOS和背照式CMOS的關系堆棧式和背照式是兩碼事，是不相干的兩種結構方式。堆棧式主要是為了減小體積，當然畫質也有所優化；而背照式是針對畫質改進而做的一種設計。一款CMOS，可以單獨采用背照式或堆棧式設計，也可以兩種方式一起使用。舉例說明，Exmor R CMOS就是只是背照式設計，而Exmor RS CMOS是在背照式的基礎上，再把信號處理電路芯片放到后面去，做成堆棧式的設計，兼具了兩種設計結構。

從以上的介紹可以看出，堆棧式傳感器是從背照式傳感器進化提升而來的產品，也是由背照式的基礎上發展而來的，堆棧式傳感器吸取了背照式的優勢地方，再彌補了其劣勢的地方，進行了更加全面的優化升級。除此之外，堆棧式傳感器還可以兼顧背照式結構的設計，使到攝像頭的拍攝畫質有了很大的提高。

所以到現在，越來越多的手機生產廠商推出的手機的攝像頭采用了堆棧式傳感器，憑借更優秀的表現，堆棧式傳感器將會成為日后手機攝像頭的主流。