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主流DDR內存橫向評測(完整版)

2010-08-28 10:45:23來源:西部e網作者:

  雖然現在DDR2內存嶄露頭角,但是由于產能問題導致價格高高在上,難以普及。也正是因為這個原因,許多原本應該支持DDR2的主板紛紛改為支持DDR內存,另一方面,K8平臺仍然以DDR內存為主。因此在DDR2內存產能問題解決之前,DDR內存還將是市場中的中流砥柱。

  年底內存價格不斷下滑,正是升級內存的好時機,不過市場上內存品牌繁多,質量參差不齊,因此我們對市場上主流的內存進行了最嚴格的最優化參數測試、超頻測試和穩定性、兼容性測試,打算購買內存的讀者可以根據我們的測試結果找到最適合自己的內存產品。

  DDR內存,讓我們看清楚

  速度無極限

  根據JEDEC(美國電子器件工程聯合委員會)官方制定的DDR內存標準來看,目前最高的DDR內存標準仍然是PC3200,即我們常說的DDR400。DDR400也分不同等級,根據內存工作參數的不同,分為DDR400A、DDR400B和DDR400C三個等級。CL-tRCD-tRP參數值也在一定程度上影響到內存的性能,這幾個值越小,內存信號傳輸的延遲時間就越短,自然性能更好。大家在購買的時候可以注意內存上的標貼,正規的品牌產品都會標出內存的詳細工作參數(內存參數名詞解釋見小貼士)。

  另外,雖然各大內存廠商都已經推出了DDR433/466/500的產品,不過這些都是廠商自己定義的標準,并沒有一個統一制定的官方標準。

  對于超頻玩家來說,能達到更高工作頻率的DDR500甚至DDR600才能滿足他們的要求。特別是在最新的Socket939 K8平臺上,由于K8的倍頻沒有鎖定,完全可以通過降倍頻升外頻來提升系統性能,而在這樣的平臺上,達到300MHz以上的外頻也是很尋常的事情,這樣的需求也刺激內存廠商不斷推出更高頻率的產品。

  做工很重要
  
  對于內存來說,最重要的就是穩定性,而內存的做工水平直接會影響到內存的穩定性以及超頻性能。我們在這里只介紹幾點辨別內存做工水平的簡單方法。

  PCB板設計:6層PCB板是標配。為了在高頻下得到更好的抗干擾能力,JEDEC和Intel對DDR400內存的設計都要求必須使用6層PCB板。總的來說,PCB板上采用大面積鋪銅的設計,一方面有利于散熱,另一方面也有助于抗干擾,PCB上元件的排列過于緊密的話,元件之間的信號干擾也會增大,不利于內存的穩定性。

  金手指工藝:目前內存金手指鍍金的工藝主要有電鍍和化學鍍兩種。采用電鍍工藝的金手指相對于采用化學鍍的要耐用一些。要識別電鍍或化學鍍非常簡單。從圖中可以看到,由于制作工藝的需要,采用電鍍工藝的金手指的末端一般會有一個小引腳,而采用化學鍍就不會有這個引腳,用這個方法就可以初步判斷金手指采用的鍍金工藝。

  內存上的阻容元件:雜牌內存為什么這么便宜?我們可以從幾個地方來簡單地鑒別內存是否偷工減料。第一就是金手指旁邊的一排電容,雜牌內存一般把這一排全省掉了;第二,內存的第一個金手指引出的線路中應該有一個電容,用來過濾雜波;第三,一般來說每一個內存芯片的參考電壓針腳引出的電路(一般線路都比較寬)中也應該有去耦電容。

  通過上面簡單的方法我們已經可以初步判斷一款內存的做工好壞。不過內存顆粒本身的品質對于內存的超頻性來說也是非常重要的。所以出現做工普通的內存但超頻性能出眾這樣的情況也并不奇怪。但可以肯定的是,做工好的內存在穩定性和耐用程度上,大大好于做工差的產品。

  小貼士

  內存參數名詞解釋

  CAS(Column Address Strobe) Latency:列地址選通脈沖延遲時間,即SDRAM內存接收到一條數據讀取指令后要延遲多少個時鐘周期才執行該指令。這個參數越小,內存的反應速度越快,可以設置為2.0、2.5、3.0。我們一般簡稱其為CL值。
RAS-to-CAS delay(tRCD):從內存行地址轉到列地址的延遲時間。即從SDRAM行地址選通脈沖(RAS,Row Address Strobe)信號轉到列地址選通脈沖信號之間的延遲周期,也是從1~15可調節,越小越快。

  Row-precharge delay(tRP):內存行地址選通脈沖信號預充電時間。調節在刷新SDRAM之前,行地址選通脈沖信號預充電所需要的時鐘周期,從1~7可調,越小越快。

  Row-active delay(tRAS):內存行地址選通延遲時間,供選擇的數值有1~15,數值越小越快。

  測試方案簡述

  本次測試我們一共收到了來自6家廠商的送測產品,另外還加入了在市場中購買的HY散裝DDR400以及英飛凌DDR400內存。考慮到目前實際應用的情況,我們選擇的是256MB×2的雙通道套裝,另外還加入了幾款DDR500以上、512MB高端內存的測試。測試分三大部分,第一部分是優化時序測試,主要考查內存所能達到的最低延遲參數(用CPU-Z讀取內存SPD參數信息);第二部分包括超頻測試,考查內存在默認參數下能達到的最高頻率與性能;第三部分,針對目前的主流主板進行兼容性測試(分別在K8T800Pro、i915G、i865PE平臺上運行SuperPI測試)。

  測試平臺方面,主板和CPU的選擇非常重要。首先主板必須能支持AGP/PCI鎖頻,否則在高外頻下,同時升高的AGP/PCI頻率會導致顯卡、聲卡工作異常,使得超頻失敗。CPU的選擇也很重要,因為只有在FSB頻率∶DRAM頻率為1∶1的情況下,才能完全發揮內存的性能。因此,我們選擇了ABIT IS7(i865PE)主板和一塊可以調節倍頻的工程版P3 3.2C GHz,在設置CPU倍頻為8的情況下,CPU可以穩定工作在270MHz外頻以上。此外,為了保證CPU不成為超頻的瓶頸,我們還將CPU電壓提升到1.625V。而為了完全發揮DDR500以上內存的實力,我們選擇了可以達到300MHz以上外頻的Athlon64 3000+和ABIT KV8 Pro主板。

  至于用于考查內存超頻后穩定性的軟件,我們選擇了SuperPi,同時其它性能測試軟件也可以在一定程度上考驗內存的穩定性。不過,即便內存可以長時間正常運行SuperPi,但是也不能完全保證內存在更高強度、更長時間的運行情況下也能穩定工作,但這并不影響我們對內存穩定性的對比測試,這樣的測試結果仍然具備參考價值。

  最后根據測試的結果,我們會選出超頻性能和性能突出的產品進行推薦。

  測試平臺
  CPU: P4 3.2C GHz(工程版,倍頻設置為8,工作電壓設置為1.625V)
  Athlon64 3000+(Socket754,將倍頻設置為5)
  P4 530 (3.0E GHz)
  主板:ABIT IS7 (i865PE)
  ABIT KV8 Pro (K8T800Pro)
  ASUS P5GDC DELUXE (i915P)
  顯卡:Radeon 9800SE
  硬盤:希捷7200.7 80GB
  操作系統:WinXP Professional English+SP1
  DirectX9.0c
  測試軟件:SuperPi 8.1(用于拷機)
  CPU-Z 1.24(用于讀取SPD信息)
  SiSoftware Sandra2004SP2
  PCMark04
  DOOM3
  注:測試中內存電壓統一設置為2.7V,DDR400內存的最優化參數測試在ASUS P5GDC-DELUXE主板上完成,DDR400組超頻測試在ABIT IS7主板上完成,DDR500以上組的最優化參數與超頻測試在 ABIT KV8 Pro主板上完成,超頻以5MHz為一級逐級遞增。

  參測產品一覽

  DDR400組(256MB×2)
  A-DATA威剛
  Vitesta DDR400
  單條參考價格:390元
  威剛給自己的中低端產品命名為V-DATA系列,而高端則命名為A-DATA。本次測試我們收到的是兩條A-DATA Vitesta DDR400 256MB內存。和低端的V-DATA不同,A-DATA系列加裝了紅色的散熱片,在超頻的時候有更好的散熱性能。把A-DATA Vitesta散熱片取下來后,可以看到,A-DATA Vitesta采用了PSC(力晶半導體)的5ns顆粒,編號為A2S56D30BTP -5,剛好符合DDR400的要求。

  A-DATA Vitesta的PCB板邊沿還標上了PCB的層號,正面可以看到第一、二、三層的編號,反面可以看到第四、五、六層的編號。

  A-DATA Vitesta整體做工中規中矩,不過既然A-DATA Vitesta定位高端,那它一定有過人之處,那就是它的CL-tRCD-tRP參數為2.5-3-3,達到了DDR400A的標準。對于不超頻的用戶,A-DATA Vitesta能提供DDR400內存所能達到的最好性能。

  Apacer宇瞻
  金牌DDR400
  單條參考價格:340元
  宇瞻送測的是Apacer金牌DDR400內存。最引人注目的地方就是內存顆粒上的Apacer金屬標牌。Apacer金牌DDR400內存采用了和A-DATA DDR400同樣的PCB板設計(惟一不同的是金手指采用化學鍍金工藝)。雖然在元件方面,并不算特別突出,但Apacer金牌DDR400內存采用了英飛凌的顆粒,編號為HYB25D256807BT -5,標準頻率為200MHz,也是口碑比較好的型號。

  Apacer金牌DDR400的CL-tRCD-tRP參數為3-4-4,只達到DDR400C的標準,不過Apacer這款內存的CL-tRCD-tRP參數對于這樣的內存顆粒來說設置得也太保守了。

  FUHAO富豪
  富豪DDR400
  單條參考價格:335元
  富豪本次送測的DDR400內存和以往的產品不一樣,沒有采用現代的內存顆粒,而是采用的是茂矽的內存顆粒,編號為V58C2256804SAT5B,可以看出是5ns的產品,標準頻率為200MHz,符合DDR400的要求。以前金士頓也采用過茂矽的顆粒,而且那一批內存的超頻性能相當不錯。在做工方面,FUHAO富豪DDR400并沒有特別引人注目的地方,算是中規中矩,用料也比較充足,沒有空焊點,金手指采用了電鍍的工藝。FUHAO富豪DDR400的CL-tRCD-tRP參數為3-3-3,達到DDR400B的水平,即便是在不超頻的情況下,也能提供不錯的性能。

  Hynix散裝內存
  散裝 DDR400
  單條參考價格:270元
  我們購買的這種Hynix散裝內存是市場中最常見的內存,在做工方面,可以說是最差的,金手指旁邊的元件全部被省略了,去耦電容一個也沒有,留下一堆空焊點,PCB板背面沒有采用大面積鋪銅,金手指采用的是化學鍍工藝,而且看起來也不夠飽滿。可以說在做工方面,這款內存是偷工減料的“典范”。而且,內存標簽上的內存規格也不符合標準,把DDR400標成了PC400。



  不過,我們購買到的Hynix散裝內存采用的現代內存顆粒,編號為HY5DU56822BT -D43(不過雜牌內存的顆粒編號經常會有變動,同時也有打磨等情況發生),批號為333AP,按道理這一批內存顆粒在DIY玩家中的口碑還可以。當然,大家最好不要購買雜牌散裝內存,因為現在大部分散裝內存都是采用打磨過的內存顆粒,像我們購買的這種相對“好成色”的散裝內存已經不容易買到了。同時,盡管測試時它沒有出現故障,但我們非常懷疑它能否長期穩定使用。


花絮:購買該內存時,經銷商居然直接告訴我們:我賣的內存是打磨的,你要不要?我們對這樣的坦白非常驚訝。

Infineon英飛凌
星河 DDR400
單條參考價格:365元
這一對Infineon英飛凌原裝內存是我們從市場中購買而來,品牌為“星河”,從標簽上可以看出它是在馬來西亞封裝的。包裝十分堅固、豪華。Infineon英飛凌內存采用英飛凌的HYB25D256800CE -5顆粒,符合200MHz工作頻率標準。值得一提的是,Infineon英飛凌的標簽上遵守JEDEC的官方規定,標注了內存模組的型號:PC3200U-30330-A0。而其它參測的內存除了三星原廠內存外,都沒有按此規定進行標注。

可以看到Infineon英飛凌內存的整體做工相當豪華,PCB板上的阻容元件比普通內存要多得多,去耦電容一個不少,而且大量使用了蛇形線,有利于減少干擾信號,保持內存的穩定性。PCB板背面采用大面積鋪銅的設計,可以增強散熱效果,同時也可以屏蔽一些干擾信號,同時,金手指也采用了電鍍工藝,保證了良好的導電性和耐用性?梢奍nfineon英飛凌內存在PCB板設計方面相當出色,在做工方面可以說是不惜成本。

Infineon英飛凌內存的SPD信息顯示它的CL-tRCD-tRP參數為3-3-3,達到DDR400B的標準,不過對于它使用的顆粒來說,這個數值顯得相對保守了。

KingMAX勝創
炫彩 DDR400(TinyBGA)
單條參考價格:330元
本次KingMAX勝創送測的是炫彩系列的DDR400模組。采用了KingMAX自己獨特的紫紅色TinyBGA顆粒,編號為KDL388N4AA -44,4.4ns的顆粒對于DDR400(5ns)標準來說,還有一定的超頻空間。KingMAX勝創炫彩DDR400采用了金色的PCB板,由于TinyBGA芯片面積比TSOP小很多,它的PCB板面積也比使用TSOP顆粒的要小不少,這個特點對于機箱內空間比較擠的用戶來說有一定好處,同時更小的面積也使得內存的發熱量更小,有利于系統的穩定。

KingMAX勝創炫彩DDR400默認CL-tRCD-tRP參數為2.5-4-4,不在JEDEC的標準之內,不過我們估計它應該與DDR400B規格比較接近。

Kingston金士頓
ValueRAM DDR400
單條參考價格:315元
Kingston金士頓送測的是它的ValueRAM系列產品,大家都知道,金士頓的ValueRAM主要突出性價比,面向中低端市場,而HyperX系列才是面向發燒友的產品。雖然是面向中低端用戶,Kingston金士頓ValueRAM的做工仍然毫不含糊,PCB板上可以清楚地看到每一個內存顆粒的參考電壓引腳前的去耦電容,并且在PCB板背后,大量采用了鋪銅的設計方式以增強散熱效果、減少干擾。產品的標簽上標明了內存模組的編號,并且采用了激光防偽技術,大家在購買的時候可以注意這一點,以免買到假冒產品。

目前金士頓的ValueRAM系列采用的是自己的內存顆粒,編號為D3208DL3T-5A,額定工作電壓為2.6V,高于DDR標準的2.5V。CL-tRCD-tRP參數為3-3-3,符合DDR400B的標準,當然,金士頓內存一向可以將CL-tRCD-tRP參數設置得相當低,以獲得標準頻率下最好的性能,相信這一款也不例外。

Samsung三星
金條 DDR400
單條參考價格:350元
來自三星原廠的三星金條整體做工相當不錯,PCB板設計與金士頓ValueRAM比較相似,而又有少許不同之處。PCB板上元件齊全,沒有任何空焊點,而且焊點飽滿整齊,可見制造工藝精良。另外,在PCB板的邊緣也標上了“Samsung”的字樣,大家可以憑借這一點辨別三星金條內存的真偽。除了在PCB板背面使用鋪銅設計外,金條 DDR400的金手指也采用了電鍍工藝,保證了金手指的耐用性。內存標簽上按照JEDEC的官方標準標出了產品的規格:PC3200U-30331-Z,從這串編號就可以看出,這款內存的CL-tRCD-tRP參數為3-3-3,符合DDR400B的規格,這與我們用CPU-Z所測SPD信息相符合。作為國際大廠,三星遵守國際標準的做法值得肯定。

這款金條DDR400采用了三星的內存顆粒,編號為K4H560838F -TCCC,根據編號定義,我們可以知道它的額定工作頻率為200MHz,CL值為3。


DDR500以上組(512MB)
A-DATA 威剛
Vitesta DDR500
參考價格:880元
Vitesta DDR500內存和Vitesta DDR400采用了同樣的PCB板設計,可以觀察到PCB板的層數編號,做工十分精細。只是由于容量增加,所以在PCB板背面也有8顆內存顆粒,因此一共有16顆內存顆粒。
拆開Vitesta DDR500豪華的散熱片,我們可以看到,Vitesta DDR500采用的是A-DATA自己的內存顆粒,編號為ADD8608A8A -4B,可以看出這是4ns的顆粒,符合250MHz即DDR500的工作頻率要求。

Apacer 宇瞻
宇瞻 DDR500
參考價格:1100元
宇瞻這款DDR500也采用了雙面共16顆內存顆粒的設計,PCB板上可以看到Apacer的金屬字樣。它采用了三星的內存顆粒,編號為K4H560838F -TCCD,這也是三星推出的符合DDR500標準的內存顆粒,工作頻率為250MHz。
我們仔細觀察后發現,這款DDR500內存上使用的三星顆粒并不全是一批次的產品,其中有4顆內存顆粒采用了不同批次的產品,不過編號還是K4H560838F -TCCD。也許這樣會在一定程度上影響內存的超頻性能。

KingMAX 勝創
Hardcore DDR500
參考價格:900元
KingMAX把自己的DDR500高端產品命名為Hardcore,相信也是對其性能有十足的信心。這款Hardcore DDR500也采用了雙面16顆內存顆粒的設計,同時為了保證良好的散熱性,Hardcore DDR500還加裝了散熱片。

將散熱片取下來后,可以看到它采用的是現代的內存顆粒,編號為HY5DU56822DT -D5,滿足250MHz工作頻率的需要,不過,我們發現這款內存采用了多個不同批次的HY5DU56822DT -D5顆粒,到底它會不會影響內存的超頻性能呢?我們后面的測試會證明一切。

Kingston 金士頓
HyperX DDR533
參考價格:不詳
本次金士頓送測的HyperX內存是一款DDR533規格的套裝產品,共有兩條,總容量為1GB,這也是專門為雙通道用戶做準備的,不過我們本次只對其中一條進行測試,方便大家對比。
拆開牢固的散熱片之后,我們可以看到它采用的也是HY5DU56822CT -D5內存顆粒,同樣采用了不同批次的顆粒,這款顆粒的額定工作頻率是250MHz,那么這款內存其實就已經被略微地超了頻了,當然,我們相信金士頓的技術能保證它在266MHz的頻率下也能穩定地工作。

最優化參數測試
在最優化參數下工作的內存可以獲得不超頻情況下最好的性能,這也是考查內存穩定性的一個指標。不過對于DDR500以上規格的內存,由于讓它們工作在額定頻率下的時候系統本身就處于高度超頻狀態,受到系統的影響難以統一對比的規則,所以我們在這里只對DDR500以上內存進行超頻測試而不進行最優化參數測試。另外,雖然JEDEC只對CL-tRCD-tRP參數進行了規定,但是在這三個參數相同的情況下,我們還會加入tRAS這個參數來進行考核。

測試中英飛凌DDR400和金士頓DDR400表現相當出色,達到了2-3-3-5的參數值,可惜的是在沖擊2-2-2-5的時候失敗了,無法完成測試。有意思的是,做工最爛的Hynix雜牌內存居然也達到了2-3-3-5的水平,這比許多名牌內存還要好,這在很大程度上是沾了HY5DU56822BT-D43顆粒的光,這也說明有時候采用好的顆粒比好的做工還要重要(盡管測試成績如此,但是我們奉勸消費者,一定要優先考慮內存的使用穩定性和兼容性)。另外,Apacer的DDR400也表現不錯,達到了2-3-3-6的水平,這與它采用英飛凌顆粒也有很大關系。

大家從測試結果也可以看到,在DDR400頻率下,即便是采用最優化參數,內存性能也只比默認參數時高很少一點點,遠遠比不上頻率提升帶來的性能差異。不過,可以達到更低的延遲參數也就從另一方面體現了內存的穩定性,因此在選購的時候也顯得很有意義。

極限頻率測試
我們所選擇的P4平臺可以輕松地達到300MHz的外頻,而另一個K8平臺可以達到320MHz外頻,因此不會給參測的內存造成瓶頸。并且我們選擇的是FSB∶DRAM為1∶1,因此大家可以清楚地看到頻率提升帶來的內存帶寬提升(如果不是1∶1則其中有一方會影響內存帶寬)。

對DDR400內存進行測試的時候,我們采用了P4平臺,在這個平臺上,英飛凌和Apacer的產品表現得最為出色,能穩定地在250MHz下運行完所有的測試,達到了DDR500的水平。而且大家可以看到,從DDR400提升到DDR500之后,內存帶寬提升了8%左右。另外,KingMAX、富豪、三星的DDR400內存都達到了240MHz的水平。A-DATA的DDR400在測試中達到235MHz的頻率,算是DDR470的水平,還算不錯。只是Kingston的表現有點出人意料,只達到了225MHz的水平,Hynix雜牌內存墊底,只達到了215MHz的水平。

對DDR500以上組進行超頻測試的時候,我們采用的是Athlon64 3000+和ABIT KV8 Pro的平臺,在倍頻為5的情況下,可以輕松上到320MHz以上的外頻,能達到320MHz外頻的DDR500內存并不多,因此CPU和主板不是瓶頸。

A-DATA的DDR500采用A-DATA自己的4ns顆粒,在測試中表現突出,非常穩定地工作在280MHz的頻率下,相當于DDR560的水平,而采用三星-TCCD顆粒的Apacer DDR500和采用現代 -D5顆粒的金士頓HyperX DDR533也表現不錯,達到了275MHz的頻率,相當于DDR550。另一款采用現代 -D5顆粒的KingMAX DDR500稍微差一點,不過也達到了265MHz的水平,也算不錯了。

總 結
從本次測試來看,所有參加測試的品牌內存都非常穩定地完成了所有的測試,沒有出現任何問題,所以在兼容性和穩定性上,參測的大廠品牌內存都值得信賴。大家也可以看到,在i865PE平臺上測試時,雙通道DDR400的確表現出了明顯的內存帶寬優勢,當使用英飛凌DDR400和Apacer DDR400超到DDR500后,內存實測帶寬更是達到了52XXMB/s的水平,相對DDR400時提升不少,更何況此時CPU外頻也達到了250MHz,系統整體性能得到了較大的提升。

由于內存的超頻性能在很大程度上由內存顆粒決定,所以采用好的內存顆粒甚至比好的做工更為重要,當然,如果顆粒和做工都出色的話,一定是非常優秀的內存產品。本次橫向測試中的英飛凌DDR400和Apacer 金牌DDR400都采用了英飛凌的內存顆粒(編號為HYB25D256800CE -5和HYB25D256807BT -5),超頻性能及整體性能都相當出色,因此獲得了我們的“編輯推薦獎”。同時,采用茂矽顆粒(編號為V58C2256804SAT5B)的富豪內存和采用三星顆粒(編號為K4H560838F -TCCC)的三星原廠內存、采用自己內存顆粒的KingMAX 炫彩內存(編號為KDL388N4AA -44)也表現不錯,可以達到DDR480的水平。

DDR500以上組里,采用A-DATA自己顆粒的A-DATA DDR500獲得不錯的成績,達到了DDR560的水平,獲得了我們的“編輯推薦獎”。采用三星K4H560838F -TCCD顆粒的Apacer DDR500和采用HY5DU56822CT -D5顆粒的金士頓HyperX DDR533緊隨其后,達到DDR550的水平。采用現代HY5DU56822DT -D5顆粒的KingMAX DDR500表現稍遜于前兩者,只達到DDR530的水平。

當然,并不是每個人的CPU都可以達到這么高的外頻,那么我們的最優化參數測試就體現出了價值。在不超頻的時候,使用最優化參數也能獲得一定程度的內存性能提升。最優化參數測試里,金士頓的ValueRAM DDR400以及英飛凌的DDR400表現最出色,CL-tRCD-tRP-tRAS參數可以達到2-3-3-5的水平。并且金士頓內存還提供了終生質保,這一點也非常重要。

主流的P4平臺和K8平臺,對規格的最低要求已經是DDR400,而對于超頻玩家來說,將處理器外頻超到200MHz以上,甚至是300MHz也是很普通的事情,因此DDR內存還將繼續進化,玩家的需求也會從超頻性能出眾的DDR400逐漸過渡到DDR500、DDR533甚至DDR600,直到明年晚些時候DDR2內存大行其道的時候,DDR內存的歷史使命才正式完成。

關鍵詞:DDR內存

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