CPU方面，Dothan核心奔騰M命名上與老的Banias核心奔騰M不同，今年，英特爾終止了頻率神話，實施了新的類似寶馬轎車命名方式的處理器命名規(guī)則，移動處理器Dothan核心奔騰M位于其處理器事業(yè)金字塔的塔尖，命名為7系列，移動奔騰4命名為5系列，而低端的賽揚M則以3xx作為命名（具體命名可以參考后面的圖表）；再者，Dothan核心奔騰M的二級高速緩存為2M，Banias核心奔騰M為1M；最后Dothan核心奔騰M采用了90納米的制程，而Banias核心為130納米制程。
Dothan
Banias
芯片組方面，更新的855GME支持最大2GB的DDR333內(nèi)存規(guī)格，在此之前則只支持DDR266；855GME的內(nèi)置顯卡頻率由之前855GM的200MHz提高到了250MHz，性能提高了25%。
855GM
855GM
無線網(wǎng)卡模塊則將PRO/Wireless 2100更新為PRO/Wireless 2200BG，同時支持IEEE802.11 B/G。為了大家更直觀的認(rèn)識到新迅馳與老迅馳的區(qū)別，我們特別制作了下面的這個表格。
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筆記本核心技術(shù)對比表 | |||
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項目 |
新迅馳 |
老迅馳 |
非迅馳 |
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處理器 |
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命名方式 |
Intel Pentium-M 7XX |
Intel Pentium-M 1.XGHz |
Intel Celeron-M 3XX |
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核心工藝 |
90納米Dothan核心 |
130納米Banias核心 |
90納米Dothan或130納米Banias核心 |
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前端總線 |
400－533MHz |
400MHz |
400MHz |
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L2高速緩存 |
2MB |
1MB |
512KB－1MB |
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芯片組 |
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命名方式 |
Intel 855GME/PM |
Intel 855GM/PM |
Intel 855GME/PM |
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內(nèi)存 |
DDR 333 |
DDR 266 |
DDR333 |
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內(nèi)置顯卡頻率 |
250MHz |
200MHz |
250MHz |
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無線網(wǎng)卡 |
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命名規(guī)則 |
PRO/Wireless 2200BG |
PRO/Wireless 2100 |
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支持協(xié)議 |
IEEE802.11 B/G |
IEEE802.11 B |
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